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2002 年度 実績報告書

プラズマ・カーボン壁相互作用による微粒子形成機構の研究

研究課題

研究課題/領域番号 14780385
研究機関九州大学

研究代表者

古閑 一憲  九州大学, システム情報科学研究院, 助手 (90315127)

キーワードプラズマ-壁相互作用 / カーボンダスト / 微粒子 / 水素プラズマ / ダイバータ / カーボンファイバーコンポジット / 核融合 / トリチウム
研究概要

近年,核融合装置のダイバータ近傍で発見されているカーボンダストは,トリチウムを吸蔵し炉内に残留するため問題視されているものの,その発生起源は不明である.本研究では,水素プラズマ壁相互作用によるカーボンダスト発生のモデル実験を行い,この発生起源を検討することを目的としている.
本年度は,周辺プラズマを模擬するECR放電装置を開発した.ダイバータ板を模擬するカーボンファイバーコンポジット(CFC)を設置したRF電極を容器の一端に配置し,壁面温度と入射イオンエネルギーを制御可能にしている.容器底部で捕集したダストの透過型電子顕微鏡写真から,1)数nm程度の球形ダスト,及び2)数百nm以上のダストが観測された.ダスト形状から,1)は気相成長したもの,2)は1)のダストが合体成長したものである可能が高い.シース電圧Vs<200VではVsの増加とともに,C,C_2,CH等のカーボン系原子・分子の発光強度,及び,CFC壁からのカーボン系粒子放出量は減少した.これは,入射イオンのエネルギーが増加すると,炭化水素分子がCFCのより深い領域で形成され,結果として表面から放出されにくくなるためであると考えられる.さらに,CFCターゲットへの顕著な水素吸蔵を観測した.気相に存在するC,C_2,CH等が,1)のダストの発生・成長に寄与していると推測される.
現在,生成しているプラズマのパラメータは,イオン密度は10^<17>m^<-3>,電子温度は5eV,水素原子密度は10^<18>m^<-3>程度である.次年度以降,プラズマ密度を1-2桁高めた実際の周辺プラズマに近い条件で,ダストのその場計測に用いるレーザ散乱法と水素原子密度測定に用いる真空紫外吸収分光法により,シース電圧,カーボン壁表面状態とカーボンダストの発生との関係について検討する予定である.

  • 研究成果

    (6件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (6件)

  • [文献書誌] K.Koga, R.Uehara, M.Shiratani, Y.Watanabe, A.Komori: "Carbon nano-particles due to interaction between H2 plasmas and carbon wall"Proc. ESCAMPIG16/ ICRP5 Joint Meeting. 1. 173-174 (2002)

  • [文献書誌] M.Shiratani, R.Uehara, K.Koga, Y.Watanabe, A.Komori: "Development of ECR discharge device for studying formation processes of carbon particles due to interaction between plasmas and carbon wall"Proc. 20th Symp. Plasma Processing. 101-102 (2003)

  • [文献書誌] Y.Watanabe, M.Shiratani, K.Koga: "Nucleation and subsequent growth of clusters in reactive plasmas(invited lecture paper)"Plasma Sources Science & Technology A. 11. 229-233 (2002)

  • [文献書誌] M.Shiratani, K.Koga, Y.Watanabe: "Formation of nano-particles in microgravity plasmas"Journal of Japan Society of Microgravity Application. 19supplement. 69 (2002)

  • [文献書誌] M.Shiratani, M.Kai, K.Imabeppu, K.Koga, Y.Watanabe: "Correlation between Si cluster amount in silane HF discharges and quahity of a-Si : H films"Proc. of ESCANPIG16/ICRP5 Joint Meeting. 2. 323-324 (2002)

  • [文献書誌] K.Koga, A.Harikai, M.Kai, K.Imabeppu.T, Ogata, T.Kinoshita, M.Shiratani, Y.Watanabe: "Deposition of high quality a-Si : H films at a high rate using cluster-suppressed VHF plasma CVD method"Proc. 20th Symp. Plasma Processing. 79-80 (2003)

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公開日: 2004-04-07   更新日: 2016-04-21  

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