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2014 年度 実績報告書

二酸化炭素還元へ向けた分極制御窒化物半導体による可視光応答型新規光電極の開発

研究課題

研究課題/領域番号 14J08965
研究機関東京大学

研究代表者

中村 亮裕  東京大学, 工学系研究科, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2014-04-25 – 2017-03-31
キーワード窒化物半導体 / 光電極 / 分極
研究実績の概要

本研究では, 極薄AlN層を内部に導入した独自の構造を持つ窒化物半導体光電極により, 可視光を利用した水分解による水素生成およびCO2還元による燃料生成を目指す. 光電極単体での水分解には開放電圧の向上が必須であり, 本年度は分極を利用する上で特に重要となるAlN層に着目して実験を進めた. AlN層の成長温度の影響を精査することにより, AlNとGaNの界面の急峻性が提案する構造において非常に重要なパラメータであることを見出した. 開放電圧の向上に向けてAlN層の成長条件を検討し, 従来と比較してより高品質な, 高い界面の急峻性と高い表面平坦性を有するAlN層の成長技術の開発に成功した. また, 半定性的な議論に留まっていた提案構造の光照射下でのバンド図を, 数値計算により示すことに成功した. バンド図は光照射下でも想定通りの形状を持つことが明らかとなり, 本研究で最終的に目指す構造の動作が現実的なものであることを示した. 更に, 提案構造が太陽電池としての動作も可能であることを数値計算により確認した.
+c面上のInGaN太陽電池中では, InGaN層の持つ分極が光キャリアの分離を妨げるため, 高In組成InGaNの利用が困難であることが知られている. しかしながら提案構造は分極を活用しているため, +c面上の構造であるにもかかわらず, 全In組成域で良い太陽電池特性を示すことが明らかとなった. 比較的成長が困難であるp型層を必要としない点でも優れており, 提案構造が+c面上の太陽電池としても有用であることを新たに見出した.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

提案構造の特性改善に向けて重要な知見を得ることができ, また従来よりも高品質なAlNの結晶成長技術の開発に成功した. また, 数値計算によって構造の妥当性及び新たな応用先を示すことに成功しており, 研究は順調に進展しているといえる.

今後の研究の推進方策

従来よりも高品質なAlN層を光電極構造で利用し, 開放電圧の向上を狙う. 続いて光吸収層としてInGaN層を導入することで可視光の利用を狙う. 更に並行して太陽電池動作の実証を狙う.

  • 研究成果

    (10件)

すべて 2015 2014

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (9件)

  • [雑誌論文] A Nitride Based Polarization-Engineered Photocathode for Water Splitting without a p-type Semiconductor2014

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Nakamura, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Physical Chemistry Chemical Physics

      巻: 16 ページ: 15326-15330

    • DOI

      10.1039/C4CP01599A

    • 査読あり
  • [学会発表] Nature Energy Origin Micro Grid System and Solar to Chemical Energy Storage by Solar Cell and Electrochemical Cell2015

    • 著者名/発表者名
      Katsushi Fujii, Akihiro Nakamura, Kentaroh Watanabe, Masakazu Sugiyama, Kensuke Nishioka, Yasuyuki Ota, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      BIT’s 1st Annual World Congress of Smart Materials 2015
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 年月日
      2015-03-24 – 2015-03-24
  • [学会発表] 分極を制御したGa極性面上III族窒化物太陽電池の新規構造2015

    • 著者名/発表者名
      中村亮裕, 杉山正和, 藤井克司, 中野義昭
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学, 神奈川県
    • 年月日
      2015-03-14 – 2015-03-14
  • [学会発表] Suitable Properties of Solar Cells for Electrochemical Water Splitting to Store Hydrogen (Concentrated Photovoltaic Solar Cell as an Example)2015

    • 著者名/発表者名
      Katsushi Fujii, Akihiro Nakamura, Kentaroh Watanabe, Masakazu Sugiyama, Kensuke Nishioka, Yasuyuki Ota, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Energy, Materials, and Nanotechnology Photovoltaics Meeting 2015
    • 発表場所
      Orlando, USA
    • 年月日
      2015-01-13 – 2015-01-13
  • [学会発表] 集光型太陽光発電と水電解による高効率水素エネルギー貯蔵:変換効率20%への展望2014

    • 著者名/発表者名
      杉山正和,中村亮裕,渡辺健太郎,太田靖之,西岡賢祐, 藤井克司
    • 学会等名
      光機能材料研究会第21回シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学, 東京都
    • 年月日
      2014-12-12 – 2014-12-12
  • [学会発表] 窒化物半導体光電極におけるNiO助触媒の担持効果2014

    • 著者名/発表者名
      小畑圭亮, 熊諳珂, 脇一太郎, 中村亮裕,小池佳代, 藤井克司, 杉山正和
    • 学会等名
      光機能材料研究会第21回シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学, 東京都
    • 年月日
      2014-12-12 – 2014-12-12
  • [学会発表] GaN/AlN/GaNフォトカソードにおけるAlN成長温度依存2014

    • 著者名/発表者名
      中村亮裕, 杉山正和, 藤井克司, 中野義昭
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 北海道
    • 年月日
      2014-09-18 – 2014-09-18
  • [学会発表] GaN/AlN/GaN光電極におけるAlN成長温度の影響2014

    • 著者名/発表者名
      中村亮裕, 杉山正和, 藤井克司, 中野義昭
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学, 愛知県
    • 年月日
      2014-07-26 – 2014-07-26
  • [学会発表] Effect of AlN Growth Temperature on the u-GaN/AlN/n-GaN Water Splitting Photocathode2014

    • 著者名/発表者名
      中村亮裕, 杉山正和, 藤井克司, 中野義昭
    • 学会等名
      第34回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-09
  • [学会発表] Effects of NiO Co-catalyst for Photocurrent and Surface Stability Improvement of n-type GaN Photoelectrode2014

    • 著者名/発表者名
      Kayo Koike, Akihiro Nakamura, Kazuhiro Yamamoto, Satoshi Ohara, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Katsushi Fujii
    • 学会等名
      The 20th International Conference on Photochemical Conversion and Storage of Solar Energy
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2014-07-08 – 2014-07-08

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公開日: 2016-06-01  

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