| 研究課題/領域番号 |
15201026
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
竹田 精治 大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (70163409)
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| 研究分担者 |
河野 日出夫 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (00273574)
大野 裕 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助手 (80243129)
市川 聡 大阪大学, ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構, 特任助手
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| キーワード | 電子照射 / ナノファビリケーシ / 透過電子顕微鏡 / シリコン / ナノ触媒 / 表面 |
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| 研究概要 |
「ラフネスを導入したシリコン表面における吸着原子の拡散」
昨年度に引き続き、シリコン薄膜に電子線を照射して生成するシリコン表面ナノホールに金属原子などシリコン以外の原子クラスターを埋め込むことを目的に実験を行っている。現在までに代表的な金属原子である金についての実験をほぼ終了した。その結果、金原子はナノホールに埋め込むことは困難であると結論された。しかし、電子照射によってラフネス(荒れ)を導入したシリコン表面における金属原子の拡散について以下の興味深い結果を得た。これは電子照射によるナノファブリケーションの新しい手法に発展すると考えている。すなわち、電子線の出射側表面および入射側表面のいずれにおいても、金原子の蒸着後に熱処理を行うと、未照射領域では微小な金原子クラスターが均一に生成するのだが、照射領域においてのみ中央部に数ナノーメーターから数十ナノメーターの大きさの金原子クラスターが少数、生成する。この中央部の金原子クラスターは、シリコンナノワイヤーなどの一元ナノ構造を作成するための触媒として適切なサイズである。そのために、意図的に電子線照射領域にのみにシリコンナノワイヤーを生成させる基礎技術に発展させることも期待できる。この研究は、当初、シリコンナノホールが生成する出射側表面について行われたが、最近、入射側表面においても、より少ない電子線量で同様の現象が生じることが明らかとなった。実験結果と解析の詳細は、両表面についてまとめて公表する予定である。
「電子照射によるナノファブリケーションを利用したシリコンナノワイヤーの作成」
シリコン表面が水素終端されている場合には電子照射はナノ触媒生成のためにテンプレート作成のために有効であり、このことを研究発表欄雑誌論文1において発表した。さらに、シリコンナノワイヤーや代表的な一次元ナノ構造における電子照射効果についても実験を開始している。
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