研究課題
基盤研究(A)
κ型BEDT-TTF塩に対する一軸性ひずみの影響を調べる事により、超伝導転移温度と二次元伝導面内で局在スピンが形成する三角格子構造の異方性との相関関係を明らかにした。ほぼ正三角形のスピン格子を持つ物質においてスピン液体状態を発見し、さらに超伝導転移温度が一軸性ひずみによって約2倍に上昇する事を見出した。EDO-TTFとその誘導体の錯体開拓を行い、(EDO-TTF)_2PF_6塩において1光子当たり約500分子が1.5ps以内に準安定状態に移る超高速・高効率の光誘起相転移を起こすことを見出した。また、TP-EDOTから特異な磁気構造を持つMott絶縁体を得た。MDABCOとCo-ポルフィリンを含む三成分イオン性C_<60>錯体において、C_<60>アニオンラジカルが2+2型に結合した二量体の存在を明らかにした。また、同じ成分を持つ別錯体でCo-ポルフィリンにMDABCOとC_<60>^-の両方が配位し、常磁性-反磁性転移を伴うCo-C(C_<60>^-)結合の可逆的解離-生成を起こす物質を得た。1-アルキル-3-メチルイミダゾリウム(C_nMI)とFe^<III>X_4^-(X:Cl,Br)やTEMPOラジカル部位を含む陰イオンからなる常磁性イオン液体を開発した。ブチル基以上の長鎖アルキル基を持つC_nMI陽イオンとAu^I(CN)_2陰イオンを用い、液体状態で青色蛍光を呈する室温溶融塩を得た。また、ピレン骨格を含む陰イオンを用いて、液体状態で約500nmに蛍光帯を示すC_4MI塩(融点43℃)を作製した。インドリンとTCNQの部分骨格を持つD-n-A分子に系統的に置換基を導入し、その詳細な物性解析の結果から電荷移動度の制御や見積もり法を確立した。ピリミド縮環型TTFに種々の化学修飾を行い、有機単一成分としては高導電性の分子を得た。シトシンとTCNQ誘導体からなる電荷移動錯体を作製し、高い自己集合能や高導電性を示す錯体を得た。
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