| 研究課題/領域番号 |
15206004
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
財満 鎭明 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70158947)
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| 研究分担者 |
酒井 朗 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (20314031)
中塚 理 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 助手 (20334998)
近藤 博基 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助手 (50345930)
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| 研究期間 (年度) |
2003 – 2005
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| キーワード | シリコン / カーボン / ニッケル / シリサイド / 界面物性 / 表面物性 / コンタクト / 走査トンネル顕微鏡 |
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| 研究概要 |
将来のSi系ULSI作製における極微細構造形成プロセスの発展に向けて、Cを中心とした新元素導入による薄膜成長および異種材料界面反応制御技術の確立を目指して研究を行い、以下の成果を得た。
(1)Cイオン注入が、NiSi/Si(001)コンタクトの結晶学的および電気的特性に与える効果を研究した。3×10^<14>cm^<-2>以上のCイオン注入によってNiSi層の凝集を抑制できた。その結果、750℃熱処理後においてもNiSi層のシート抵抗増大を効果的に抑止できた。
(2)Bを導入したNiSi/p^+-Si系において、3×10^<15>cm^<-2>のCイオン注入により、コンタクト抵抗を1/3程度に低減できた。C導入によって、NiSi形成時におけるNiSi/p^+-Si界面でのBの再分布を抑制でき、B原子の界面へのパイルアップが促進されることがわかった。その結果、NiSi/p^+-Si界面に高キャリア濃度領域が形成され、より低いコンタクト抵抗が実現できると考えられる。
(3)Si(100)基板上におけるエピタキシャルNiSi_2層の初期成長にCの与える効果を、STMにより調べた。C添加によりNiSi_2/Si界面における{111}ファセット形成が抑制され、個々のNiSi_2ドメインの等方的な成長が促進された。その結果、C蒸着量の増加と共に、エピタキシャルNiSi_2層の平坦性および表面被覆率を向上できた。
(4)GeおよびCの同時蒸着および交互蒸着時における、Si(100)基板上のGe_<1-x>C_x層の初期成長をSTMにより観察評価した。表面に適切なSi-C結合を常に形成することで、Cのクラスター化およびGeの三次元成長が抑制され、均一なGe_<1-x>C_x膜を形成できることが明らかになった。
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