| 研究課題/領域番号 |
15206034
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
冷水 佐壽 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (50201728)
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| 研究分担者 |
下村 哲 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助教授 (30201560)
北田 貴弘 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助手 (90283738)
小川 真人 神戸大学, 工学部, 教授 (40177142)
小倉 睦郎 独立行政法人産業総合技術研究所, 光技術研究部門, グループ長(研究職) (90356717)
菅谷 武芳 独立行政法人産業総合技術研究所, 光技術研究部門, 主任研究員(研究職) (60357259)
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| キーワード | 面発光レーザ / 量子細線 / InGaAs / InAlAs / (775)B GaAs基板 / (775)B InP基板 / 偏光制御 / 分布型ブラッグ反射器 |
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| 研究概要 |
高指数面基板上に分子線結晶成長で作製した自己形成型量子細線は、量子細線方向に偏光した光に対して優先的な光学利得をもつ。この特徴を面発光レーザに利用してこれまで問題となってきた偏光不安定性を解消することを目指して研究を進めている。本年度、(775)B GaAs/(ALAs)_1(GaAs)_6歪量子細線層を活性層に有する面発光レーザおよび(775)B In_<0.1>Ga_<0.9>As/(AlAs)_1(GaAs)_6歪量子細線層を活性層に有する面発光レーザを作製し、偏光が細線方向に安定した電流励起室温発振に成功した。直径3μmに電流狭窄した(775)B GaAs/(AlAs)_1(GaAs)_6歪量子細線層を活性層に有する面発光レーザでは、発光波長769nm、細線に沿った偏光を持つレーザ光の出力と細線に垂直な偏光を持つレーザ光の出力が20dBで、高い消光比を示した。これまでに、GaAs層を活性層に持つ面発光レーザで、広い電流範囲で20dB以上の消光比を持つ面発光レーザの報告はなく、本レーザで、初めて高い偏光安定性が実現された。
一方、1.55μm帯の量子細線面発光レーザでは、高い反射率のブラッグ反射層を得るために、20μmの厚さが必要であることから成長率を通常の倍の2μmにあげ、良好な歪みIn_xGa_<1-x>As量子細線、ブラッグ反射層を(775)B InP基板上に作製する成長条件を見出した。本成長条件で作製した量子細線面発光レーザは、パルスレーザ光励起で室温発振し、発振波長1518nm細線に沿った方向に強く偏光していることを確認した。更に、1.3及び1.55μm帯(775)B InGaAs量子細線ストライプレーザ及び1.3μm帯(221)A量子細線ストライプレーザの室温発振にも成功し、本研究の当初の目的は、ほぼ達成した。
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