| 研究課題/領域番号 |
15340128
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
鶴淵 誠二 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 教授 (60028248)
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| 研究分担者 |
本橋 健次 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 助手 (50251583)
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| キーワード | 生存確率 / 量子トンネル / GaAs / 2次電子放出 / 表面酸素被覆率 / 多価イオン / ポテンシャルスパッタリング / GaN |
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| 研究概要 |
イオン・表面反応
「量子トンネル係数測定」
GaAs標的を40keVに加速したAr^+イオンで衝撃すると、スパッタリング生成された励起Ga原子の発光線が観測される。発光スペクトル強度の1)スペクトル線のドップラー広がりの測定 2)標的表面からの距離依存性 により表面に垂直な速度成分や平行な速度成分を求めることが出来る。励起Ga(5s)が表面との量子トンネル相互作用により、「非輻射脱励起を受ける確率」を定量的に決めることが出来た。1)の方法で得られた値は2)の方法で得られた結果と誤差の範囲で一致した。従来報告例は一例のみあったが、今回の結果とはかなり異なっている。標的表面への吸着酸素の影響なども測定し多角的な考察が成された。この結果の詳細は第15回非弾性イオン・表面衝突国際会議にて発表した。
「放出2次電子の測定」
イオン-固体表面衝突における2次電子放出過程をとりあげた。固体内部から表面を通過して真空中へと放出される電子の運動エネルギー分布は、表面の酸素原子被覆率により、大きく影響を受けることが報告されている。しかしながら、現状ではその影響を見積もるために雰囲気中の気体の分圧等の情報から間接的に表面状態を規定している。本研究では表面状態をより正確に規定する方法として、固体表面をイオンビームで照射している時の、「定常的表面酸素被覆率」を表面近傍からの励起原子の発光を用いて決定した。その上で、固体表面から放出される2次電子の運動エネルギー分布を阻止電場型の半球アナライザーを用いて測定し、多面的な考察を行った。
「多価イオン・表面反応」
多価イオンを金属Al、ワイドギャップ半導体SiC、GaN表面に、「すれすれ角」で入射させて、ポテンシャル放出過程を実験的に取り出した。飛行時間差型質量分析スペクトル、放出2次イオンの運動量画像などを測定・解析し、2次イオンの生成過程についての考察を行った。その結果の一部は、第15回非弾性イオン・表面衝突国際会議にて発表した。
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