研究概要 |
(1)すでにCp*W(CO)_3Me(Cp*=η-C_5Me_5)とかさ高いMes基を有するHSiMe_2SiMeMes_2(Mes=2,4,6-Me_3C_5H_2)の混合物を光照射すると、塩基の配位していないシリル(シリレン)タングステン錯体Cp*W(CO)_2(=SiMes_2)(SiMe_3)が生成することを報告している。この反応の一般性を調べるため、モリブデン錯体の合成を行った。Cp*Mo(CO)_3MeとHSiMe_2SiMeMes_2との混合物を光照射したところ、シリル(シリレン)モリブデン錯体Cp*W(CO)_2(=SiMes_2)(SiMe_3)(1)が生成した。錯体1の構造を結晶構造解析によって決定したところ、モリブデンとシリレン配位子のケイ素との距離は非常に短く、不飽和結合性が強いことが明らかになった。現在この錯体の反応性の検討およびクロム錯体の合成に取組んでいる。 (2)Cp*W(CO)_3Me(Cp*=η-C_5Me_5)とHSiMe_2SiMe_3との反応では、シリル(シリレン)錯体のカルボニル配位子の酸素が別の分子のシリレンケイ素に配位して8員環骨格を形成した、自己安定化シリル(シリレン)錯体[Cp*W(CO)_2(=SiMe_2)(SiMe_3)]_2が生成する。一方、鉄錯体の場合には自己安定化錯体は生成せず、最終的にシリル錯体が生成する。この原因はカルボニル酸素のルイス塩基性にあるのではないかと考え、タングステンより金属からカルボニル配位子への逆供与が弱いと考えられるモリブデン錯体の合成を行った。その結果、モリブデンを用いた場合も自己安定化錯体が生成した。現在クロムの場合はどうなるか検討している。
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