| 研究課題/領域番号 |
15360058
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
宮崎 則幸 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10166150)
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| 研究分担者 |
只野 裕一 九州大学, 大学院・工学研究院, 助手 (00346818)
池田 徹 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教授 (40243894)
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| キーワード | 有限要素法 / 単結晶 / 転位密度 / 結晶異方性 / 単結晶育成 / インゴットアニール / デバイス作成 / HASモデル |
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| 研究概要 |
(1)今後のプログラム開発が円滑に進められるように並列計算機システムを構築した。
(2)弾性係数および特定のすべり方向の存在といった結晶異方性を厳密に考慮して、結晶の形状変化がある場合や転位密度の時々刻々の変化を求めることができるHAS(Haasen-Alexander-Sumino)モデルを用いた非定常3次元有限要素法解析コード(単結晶育成プロセスの転位密度評価サブシステム)の開発に着手した。すなわち、単結晶育成過程の総合伝熱解析コードから得られる時間に関して離散的な形状データと温度分布データをもとに空間的、時間的に補間を行うことにより、本サブシステムの入力データとして用いる部分の整備といった本サブシステムの大枠が完成した。
(3)弾性係数および特定のすべり方向の存在といった結晶異方性を厳密に考慮して、HAS(Haasen-Alexander-Sumino)モデルを用いたインゴットアニール過程の転位密度を求める非定常3次元有限要素法解析コード(インゴットアニールプロセスの転位密度評価サブシステム)については、既にこれまでの研究により開発済みであるので、GaAs、InPといった化合物半導体についてインゴットアニール過程の転位密度評価解析を行い、結果を整理するとともに本サブシステムのドキュメント類を整備した。
(4)ウエハー上のデバイス作成プロセスの転位密度評価サブシステムのプログラム設計を行った。
(5)単結晶育成プロセスの転位密度評価サブシステムおよびインゴットアニールプロセスの転位密度評価サブシステムについて、グラフィックユーザーインターフェイス(GUI)の整備を行った。
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