| 研究課題/領域番号 |
15360182
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
三村 秀典 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (90144055)
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| 研究分担者 |
中西 洋一郎 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00022137)
嶋脇 秀隆 八戸工業大学, 工学部, 助教授 (80241587)
佐藤 信之 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (10178759)
根尾 陽一郎 静岡大学, 大学院・電子科学研究科, 助手 (50312674)
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| キーワード | 電界放射微小電子源 / スミスパーセル効果 / 回折格子 / 電子ビーム / テラヘルツ光 / 熱電子源 / 可視光 / 赤外光 |
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| 研究概要 |
1.1ティップSi電界放射陰極からの直流状の電子ビーム(電流量200nA、加速電圧25〜30kV)を回折格子(1800本/mm)上を通すことにより、次数n=2から4に相当する可視(400nm)から近赤外(900nm)領域のスミスパーセル放射光の検出を行った。また、同じエミッタで電流量100nA、加速電圧26〜28kVで2400本/mmの回折格子上を通すことにより、次数n=1に相当する1300mから1350nm領域の近赤外光のスミスパーセル放射光の検出を行った。
2.Si電界放射陰極からからの電流量を増加させるため、625個のティップからなるSi電界放射アレイを製作し、可視領域におけるスミスパーセル放射光の検出を行った。
3.サブミリ波(テラヘルツ)域(30μm〜1mm)でスミスパーセル放射を検出できるように、FTIRを改造した。
4.熱電子源からの直流状の電子ビーム(電流量50μA、加速電圧27.5kV)を回折格子(16.5本/mm)上を通すことにより、次数n=2の100μm(3THz)のスミスパーセル放射を検出した。
5.スミスパーセル光の増大を測るため、連続コーヒレント効果を生じさせるパルス電子ビームの条件を計算により見出した。しかし、Si電界放射陰極の光過渡応答特性を測定したところ、連続コーヒレント効果の条件にマッチすることが不可能であることがわかったため、キャリア寿命の短い低温成長GaAs電界放射陰極の製作を行うことにし、低温成長GaAsチャンバーの立ち上げを開始した。
6.スミスパーセル光による自由電子レーザ実現のため、ファブリペロー共振器を組み込んだスミスパーセル放射装置の設計・製作を開始した。
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