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2004 年度 実績報告書

低温消磁・交流消磁実験による斜交非履歴性残留磁化理論の構築

研究課題

研究課題/領域番号 15540407
研究機関東京工業大学

研究代表者

綱川 秀夫  東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (40163852)

キーワードARM / 岩石磁気 / 古地磁気 / SD / MD / 保磁力 / 低温消磁 / 交流消磁
研究概要

古地磁気学において頻繁に利用されている非履歴性残留磁化(ARM)は、通常、交流磁場とバイアス直流磁場を平行にして試料に与えている(平行ARM)。本研究では、直流磁場が交流磁場と直交あるいは斜交するARM(直交ARMあるいは斜交ARM)を理論的かつ実験的に解明し、その応用をはかることを目標とする。本年度は直交・斜交ARMの単磁区磁性粒子試料の測定(試料、MD粒子成分が20-30%ある火山溶岩)とそのモデル化を行った。
(1)バルク平行・直交・斜交ARM強度
・比例則の成立:バルクARM∝外部直流磁場H(0-100μT)
・平行ARM>斜交ARM>直交ARM。
・斜交ARMの加法性
OARM(AF;DC1,DC2;0,Hcmax)=OARM(AF;DC1,DC2;0,Hcmax)+OARM(AF;DC1,DC2;0,Hcmax)AF:交流磁場、DC1:コイル1による直流磁場、DC2:コイル2による直流磁場Hcmax:最大保磁力(=AF)
(2)保磁力スペクトル
交流消磁(タンブラーの不使用)により、0-140mT保磁力成分を測定した。
・斜交ARMの加法性
OARM(AF;DC1,DC2;Hc1,Hc2)=OARM(AF;DC1,DC2;Hc1,Hc2)+OARM(AF;DC1,DC2;Hc1,Hc2)Hc1,Hc2:Hc1<Hc<Hc2の保磁力成分
・ARM消磁曲線・獲得曲線の同一性
OARM(AF;DC1,DC2;0,Hc1)=OARM(Hc1;DC1,DC2;0,Hc1)
・方位:LTD成分∝外部直流磁場Hであるが、LTメモリは、高保磁力側でより90°に近づく。
これらの主な性質は、形状磁気異方性SDの磁気ポテンシャルが、直交ARMの状況ではよりTRMに近いことから説明できる。また応用としては、火山岩のTRM/OARM比による古地磁気強度推定法の開発がありうることを示した。

  • 研究成果

    (3件)

すべて 2004 その他

すべて 雑誌論文 (3件)

  • [雑誌論文] Palaeointensity study of the Oshima 1986 lava in Japan : implications for reliability of the Thellier and LTD-DHT Shaw methods2004

    • 著者名/発表者名
      Mochizuki, N., Tsunakawa, H., others
    • 雑誌名

      Phys.Earth.Planet.Inter. 146

      ページ: 395-416

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] K-Ar ages of the Auckland geomagnetic excursions2004

    • 著者名/発表者名
      Mochizuki, N., Tsunakawa, H., others
    • 雑誌名

      Earth Planets Space 56

      ページ: 283-288

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Validity of the LTD-DHT Shaw and Thellier palaeointensity methods : A case study of the Kilauea 1970 lava

    • 著者名/発表者名
      Oishi, Y., Tsunakawa, H., others
    • 雑誌名

      Phys.Earth.Planet.Inter. (in press)

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公開日: 2006-07-12   更新日: 2016-04-21  

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