| 研究課題/領域番号 |
15560018
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
福田 安生 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (30208970)
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| 研究分担者 |
下村 勝 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (20292279)
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| キーワード | GaP(001) / InP(111) / 表面 / 原子細線 / 分子細線 / パッシベーション / 電子分光 / STM |
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| 研究概要 |
GaP(001)2x1表面上にInの原子細線が形成されることを見出した。この原子細線を電極とみなしてこの細線間に有機分子を架橋して、その物性を調べるためにGaP(001)2x1構造を原子レベルで詳細に調べた。又、GaP(001)2x4表面上の微細構造に有機分子を吸着させ、原子-有機分子細線を形成するために、表面構造をSTM(走査トンネル顕微鏡)及び放射光電子分光(SRPES)を用いて詳細に調べた。実用的なデバイス応用を考えると表面のパッシベーションも必要であることから、硫黄による表面のパッシベーションの研究も行った。以下にこれまでに得られた結果を列挙する。
(1)高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)、STM、SRPESの結果より、GaP(001)2x1表面はP-Pダイマーの一つに水素が互い違いに吸着し、ジグザグ構造をとることを明らかにした。
(2)GaP(001)2x4構造をSTM、角度分解SRPES、及びSR光電子回折(PED)で調べた結果、InP(001)2x4表面と同様な構造、即ちP-Gaミックスダイマー構造をとることを明らかにした。
(3)InP(111)A表面を硫黄でパッシベーションすると(2x2)構造をとり、表面に微細な6角形の窪みを形成することを見出した。この微細構造は将来テンプレートとして、利用することが出来るであろう。
(4)GaP(001)表面をチオウレア、S2C12、P2S5を用いてパッシベーションを行った。これらによって、表面に約1モノレーヤの硫黄原子が吸着することを見出した。
(5)GaP(001)2x4表面はバンドベンディングが1.9eVあり、その表面を(NH4)2Sxでパッシベーションを行うと、フラットバンドが形成されることを電子分光を用いて、明らかにした。
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