| 研究概要 |
平成17年度は、新しく開発した自己平坦化法(APPLIED PHYSICS LETTERS 86,122503(2005))を用いて作製したスタック型固有Josephson特性の温度依存性を理論解析した。この成果は,APPLIED PHYSICS LETTERS 87,252506(2005)に掲載されている。また,プロセス条件を最適化し,数ないし十数ナノメートルのスタック高さを制御して作製することができた。これらの成果はPhysica C 426-431(2005)1484-1488に掲載されており,2006年度の同誌にも掲載が決まっている。
本研究(平成15-17年度)では,Bi-2212固有Josephson接合を作製し,高周波デバイスとして応用することを目指して研究を進めてきた。その過程で,新しいデバイスプロセスを開発し,それまで解明されていなかったJosephson特性を理論解明できた。得られた成果は,固有Josephson接合を高周波特性デバイスへ応用する上で,極めて重要な知見と言える。
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