| 研究概要 |
以下にあげるシリサイド半導体結晶の成長を行い、構造的、電気的性質を評価するとともに温度差発電素子を試作した。
溶融塩法によるb-FeSi_2膜の構造を明らかにするとともに成長様式を考察した。さらにこの方法によりb-FeSi_2基板及びバルク結晶を作製した。これにより商用サイズのb-FeSi_2基板及びバルクの利用が可能となった。MnCl_2雰囲気中にてSi基板上に成長させたMnSi_<1.7>薄膜の成長時間依存性を調べる事により成長様式を明らかにした。FeCl_2雰囲気中にてSi基板上にFeシリサイド薄膜を成長させた。これらにより大面積薄膜作製の可能性が開けた。
Mg_2Si/Si基板上に成長させたSr_2Si薄膜の構造を詳細に調べた。また単相成長させたCa_5Si_3,Sr_5Si_3粉末結晶の伝導現象を評価した。これらの結晶はp形である事が分かった。またSr_5Si_3結晶は擬ギャップ材料であるという計算結果も得られ熱電材料への応用も考えられる。バルクSi及びSiGe混晶をMg雰囲気中で熱処理する事により得られたMg_2Si_<1-x>Ge_x膜の構造を明らかにするとともに、Mg_2Si粉末及びMg_2Ge粉末よりプラズマ焼結によりMg_2Si_<1-x>Ge_xバルク結晶を得た。b-FeSi_2/Mg_2Si熱電発電素子及びb-FeSi_2/FeSi熱電発電素子を試作した。
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