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資源豊富で生物に無害な材料を用いた半導体素子からなる分散型発電システムの構築を提案し、それぞれの素子すなわち太陽光発電、赤外線吸収発電素子、温度差発電半導体素子の開発を行った。素子材料としてのシリサイド半導体の成長と評価、新規シリサイド材料の開発を行うとともに、それぞれの素子を試作した。
RDE法により絶縁基板上に成長させ、b-FeSi_2薄膜の構造を明らかにした。さらに真空プロセスを用いない溶融塩法によりFeSi基板上に成長したb-FeSi_2薄膜の欠陥構造を明らかにした。ITO/b-FeSi_2構造を作製したところ、整流特性が得られる事が分かった。
バルクSiをMg雰囲気中で熱処理する事によりMg_2Si薄膜及びバルクMg_2Siを成長させ、薄膜及びバルク結晶の構造を評価した。その結果クラックや偏析の生成が認められないMg_2Siバルク結晶が形成されている事が分かった。このMg2Siを用いた温度差発電素子とその簡易作製プロセスを開発した。また真空プロセスを用いない溶融塩法により成長したb-FeSi_2およびその原料であるFeSiを用いてb-FeSi_2/FeSi熱電発電素子を試作した。
Si基板をMnCl_2雰囲気中にて500℃で熱処理する事により、MnSi_<1.7>薄膜を成長させた。この成長方法によりマンガンシリサイド/シリコンによるpn接合の作製をおこなうとともに、n形Mg2Si基板上にp形マンガンシリサイド薄膜を成長させ赤外線吸収発電素子を試作した。
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