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2004 年度 研究成果報告書概要

量子デバイスにおける電子コヒーレンス決定要因の共鳴トンネル構造を用いた分離評価

研究課題

研究課題/領域番号 15560291
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関東京工業大学

研究代表者

町田 信也  東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 (70313335)

研究期間 (年度) 2003 – 2004
キーワードホットエレクトロン / 共鳴トンネルダイオード / 位相コヒーレンス / 構造不均一性 / 位相相関法 / 電子波干渉 / 量子効果デバイス / 半導体
研究概要

共鳴トンネルダイオード(RTD)の電流電圧(I-V)特性の振る舞いから、電子コヒーレンスを決定する要因である位相緩和、構造不均一性、環境温度を分離して評価できるのか理論的、実験的に明らかにし、RTDを用いた電子コヒーレンスの評価手法の確立を目指した。
まずRTDのIV特性をa)電流遮断領域、b)電流立ち上がり領域、c)電流ピーク領域の三つの電圧範囲に分割し、a)の領域より電子位相コヒーレンスを、b)の領域より構造不均一性をc)の領域も含めて理論フィッティングすることで分離評価する可能性を提案した。
まず本手法の有効性を確認する目的で、ステップフローモードで成長されたInP/GaInAs系RTDの評価を行なった。井戸幅4nmを持ち、構造不均一性として井戸幅揺らぎの他に電極層不純物の影響の可能性を考察する目的でバリアと電極層を隔てるスペーサ層厚さは2.6nmと短くした。温度による波長広がりを分離するため4.2Kで得られた測定データは、構造不均一性として井戸幅揺らぎ(標準偏差)を0.6nmとすることで、a)領域からc)領域まで約三桁変化する電流特性を完全に理論フィッティングでき、本手法の有効性を確認した。
次に構造不均一性の一つである電極層不純物のIV特性へ与える影響をモデル化し、IV特性のa)領域部分へ影響を及ぼさないための条件把握を行なった。結果、3x1017cm-3程度のドーピング濃度ではスペーサ厚さ2.6nm程度あれば、井戸幅揺らぎと比較して十分影響を抑えられることが明らかとなった。
最後にこれまでの理論手法を駆使し、位相緩和、構造不均一性、環境温度を分離して電子コヒーレンスを評価するRTD構造の条件を提示することに成功した。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2004 2003

すべて 雑誌論文 (8件)

  • [雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscone2004

    • 著者名/発表者名
      N.Machida, et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43

      ページ: 7390-7394

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscope2004

    • 著者名/発表者名
      N.Machida, H.Kanoh, K.Furuya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. vol.43, no.11A

      ページ: 7390-7394

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in Semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya, et al.
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 19

      ページ: 216803-1-216803-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Miyamoto, et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 42

      ページ: 7221-7226

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Experiment of Hot Electron in Semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya, et al.
    • 雑誌名

      Sixth International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & Fourth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices 1.6

      ページ: 9-10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
    • 雑誌名

      Physical Review Letters vol.19, no.21

      ページ: 216803-1-216803-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Miyamoto, R.Yamamoto, H.Maeda, K.Takeuchi, N.Machida, L.Wernersson, K.Furuya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. vol.42, no.12

      ページ: 7221-7226

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Experiment of Hot Electron in Semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
    • 雑誌名

      6th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & Fourth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices,1.6,Hawaii

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より

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公開日: 2006-07-11  

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