研究課題
1000℃以上で、硬度の低下が認められないあるいは低下が少ない優れた硬質セラミック材料の開発をめざし昨年度に引き続き研究を行った。すなわち、ナノメートルオーダーで粒界相を最適に制御したホウ化物系コンポジット(SiB_6-SiC-B_4C)の作製をホットプレス法を用いて行い、得られた材料の産業分野への応用展開に関する研究を目的とした。本年度は、昨年同様、カーボンを添加したSiB_6の焼結性に及ぼすカーボン添加量の影響について、調べるためにカーボン源(出発原料)として、サブマイクロメートルの粒径を有するグラファイトを用い、SiB_6に5、10、15および20mass%のグラファイトを添加し、30MPaの圧力下、1700℃、1時間、真空中でホットプレス焼結を行った。得られた試料の相対密度は、カーボンの添加量が、10および15mass%の試料が、最も緻密化し相対密度99%以上の焼結体を得ることができた。さらに、得られた焼結体試料の成分(構成相)の同定を行った。カーボンを添加した試料は、いずれも、ホウ化ケイ素(SiB_6)の回折ピーク以外に、炭化ホウ素(B_4C)および炭化ケイ素(SiC)の回折ピークを認めた。この結果から、添加したカーボンは、ホウ化ケイ素と反応し、炭化ホウ素(B_4C)および炭化ケイ素(SiC)を生成したものと考えられる。室温および高温(500〜1000℃、真空中)におけるビッカース硬度を調べる目的で、ホットプレス法によって作製した焼結体を、研削装置および研磨機を用いて、5x5x10mmサイズのビッカース硬度測定用試料に加工後、ビッカース硬度計(荷重1kgf、負荷時間30s)を用いて、室温および高温(500〜1000℃、真空中)におけるビッカース硬度の測定を行った。その結果、室温におけるカーボン無添加のホウ化ケイ素セラミックスの約22Gpaに比べて、カーボンを10mass%添加しホウ化物系コンポジット(SiB_6-SiC-B_4C)た試料の値は、約24GPaで、硬度の向上が認められた。さらに、800℃までの測定温度域では、約22〜20GPaの優れた高硬度値を示し、1000℃では、約18Gpaの硬度を示した。
すべて 2004
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Journal of Ceramic Processing Research 5,2
ページ: 133-135
