| 研究実績の概要 |
28年度は，本研究の2年目となる。本年度では，Ｓｉ量子ドット作製において焼成法を新たに加え，「合計3種類の手法でのSi量子ドットの作製」ができるようになった。また，3種類の手法で作製したSi量子ドットを用い，ハイブリッド白色LEDを作製に着手した。特に新しいところは，焼成法による発光性Ｓｉ量子ドットの作製である。すなわち，シルセスキオキサンを合成し，それを電気炉での焼成ならびに化学処理することにより，Si量子ドットを作製した。特に，合成条件の違いにより，青色発光と赤色発光するＳｉ量子ドットを作り分けることに成功した。これらの発光色の違いには，前駆体であるシルセスキオキサンの構造が関係していることが明らかとなった。
その他，レーザーアブレーション法で作製したSi量子ドットを発光層にした青白色LEDの開発に成功し，論文発表と同時にプレスリリースした。その結果，新聞，Yahooニュース，EurekaAlert!（AAAS, アメリカ科学振興協会）など，国内外のメディア80件ほどに取り上げられた。
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