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本研究では，シリコン(Si)を発光体とするSi量子ドットを作製し，それを用いた量子ドットLEDの開発を目的とした。量子ドットの作製には，次の三つの方法を導入した。すなわち，１）レーザーアブレーション法，２）化学合成法，３）焼成法である。１）については，液中に静置したSiウエハにナノ秒パルスレーザーを照射し，青色領域で発光する量子ドットの開発に成功した。２）については，有機合成的にSi誘導体を液中で還元させ，その凝集過程によりSi量子ドットの合成に成功した。その結果，青色領域でより発光効率の高いSi量子ドットの合成に成功した。３）については，シルセスキオキサンを1100℃の高温での焼成反応により，赤色，オレンジ色で発光するＳｉ量子ドットの合成に成功した。これら3種類の手法でのSi量子ドットの合成は当初の計画通りであり，目的を達成できた。なお，これらの3種は全て表面官能基の異なる量子ドットでもある。また，これら3種類の量子ドットを用い，Si量子ドット溶液の塗布法により量子ドットLEDの開発を行った。全てにおいてLEDが作製できた。特に１）の量子ドットを用いたSi量子ドットLEDが最もよい素子であった。これらの成果は学会または学術論文として発表した。また，一部の発表においては，国内外の学術界，出版社，メディアからも注目された。
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