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2017 年度 実績報告書

電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ

研究課題

研究課題/領域番号 15H02019
研究機関名城大学

研究代表者

岩谷 素顕  名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)

研究分担者 上山 智  名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
松本 貴裕  名古屋市立大学, 大学院芸術工学研究科, 教授 (10422742)
竹内 哲也  名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード電子線 / 窒化ガリウム / 窒化アルミニウム / レーザ / 光共振器 / ウェットエッチング / 低閾値 / 光強度
研究実績の概要

本研究課題では、電子線を励起源とするAlGaN/GaN系の紫外線レーザを実現することを目標に研究を行った。レーザ発振に必要な電子線装置を実現すること、レーザ発振可能な高品質な結晶を作製すること、さらに光共振器を形成することが当初の課題としてあり、それらを研究代表者を中心に最適化を進めた。
結果として、当初の目的通りAlGaN/GaN系量子井戸構造を用いることによって、350nm帯のレーザ発振をこの波長域で世界で初めての発振を実現した。さらに学術的な理解を進めるために電子線の加速電圧や活性層の構造に関してデバイスシミュレータ、電子線のシミュレータの活用、さらには実験的な検証によって低閾値で発振するのに必要な構造の検討を行った。これらの検討を進めるにしたがって光出力もmWを超える高出力化が達成された。
また光励起との比較をはじめとして様々な検討を行うことによって電子線励起レーザの有用性を検討した。
また、付帯的な成果として高品質なAlGaN結晶の実現、従来困難とされていたAlGaN系材料のウェットエッチング法の確立、さらには高感度な受光素子の実現などの成果を達成した。
今後は、さらなる短波長レーザの実現などの課題が残されている。2017年度の研究によって光励起では280nm帯のレーザを実現することができた。その一方で、350nm帯のレーザとはレーザ発振に必要な光励起パワー密度が高いという課題が残されており、結晶品質のさらなる向上、さらには光学ロスの低減などが必要であると考えられる。
以上のように、本研究課題は当初の研究目的を達成し、さらに付随した成果を得た。その一方で、さらに本研究を発展させ、最終的に実用化可能なデバイスとして発展させることが重要だと思われる。

現在までの達成度 (段落)

29年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

29年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (42件)

すべて 2018 2017 その他

すべて 国際共同研究 (1件) 雑誌論文 (9件) (うち査読あり 9件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (25件) (うち国際学会 18件、 招待講演 17件) 産業財産権 (7件) (うち外国 1件)

  • [国際共同研究] リンチョビン大学(スウェーデン)

    • 国名
      スウェーデン
    • 外国機関名
      リンチョビン大学
  • [雑誌論文] A GaN-Based VCSEL with a Convex Structure for Optical Guiding2018

    • 著者名/発表者名
      Natsumi Hayashi, Junichiro Ogimoto, Kenjo Matsui, Takashi Furuta, Takanobu Akagi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 1700648 ページ: 1700648

    • DOI

      10.1002/pssa.201700648

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Growth of High-Quality AlN and AlGaN Films on Sputtered AlN/Sapphire Templates via High-Temperature Annealing2018

    • 著者名/発表者名
      Junya Hakamata, Yuta Kawase, Lin Dong, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya,
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi B

      巻: 1700506 ページ: 1700506

    • DOI

      10.1002/pssb.201700506

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization of nonpolar a-plane GaN epi-layers grown on high-density patterned r-plane sapphire substrates2018

    • 著者名/発表者名
      Daiki Jinno, Shunya Otsuki, Shogo Sugimori, Hisayoshi Daicho, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 484 ページ: 50-55

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.12.036

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-performance solar-blind Al0.6Ga0.4N/Al0.5Ga0.5N MSM type photodetector2017

    • 著者名/発表者名
      Akira Yoshikawa, Saki Ushida, Kazuhiro Nagase, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 111 ページ: 191103

    • DOI

      10.1063/1.5001979

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-quality AlN film grown on a nanosized concave-convex surface sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Akira Yoshikawa, Takaharu Nagatomi, Tomohiro Morishita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 111 ページ: 162102

    • DOI

      10.1063/1.5008258

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization and optimization of sputtered AlN buffer layer on r-plane sapphire substrate to improve the crystalline quality of nonpolar a-plane GaN2017

    • 著者名/発表者名
      Daiki Jinno, Shunya Otsuki, Shogo Sugimori, Hisayoshi Daicho, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 480 ページ: 90-95

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.10.018

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical investigation of nitride nanowire-based quantum-shell lasers2017

    • 著者名/発表者名
      Yuki Kurisaki, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 214 ページ: 1600867

    • DOI

      10.1002/pssa.201600867

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Demonstration of electron beam laser excitation in the UV range using a GaN/AlGaN multiquantum well active layer2017

    • 著者名/発表者名
      Takafumi Hayashi, Yuta Kawase, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Takahiro Matsumoto
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 7 ページ: 2944

    • DOI

      10.1038/s41598-017-03151-8

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Reduction of contact resistance in V-based electrode for high AlN molar fraction n-type AlGaN by using thin SiNx intermediate layer2017

    • 著者名/発表者名
      Noriaki Nagata, Takashi Senga, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 14 ページ: 1600243

    • DOI

      10.1002/pssc.201600243

    • 査読あり
  • [学会発表] 岩谷 素顕, Ling Dong , 岩山 章 ,川瀬雄太 ,竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇,三宅秀人2018

    • 著者名/発表者名
      AlGaN 系紫外半導体レーザの現状とその可能性
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 招待講演
  • [学会発表] GaInN系面発光レーザーの開発と展望2018

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第38回年次大会
    • 招待講演
  • [学会発表] 電子線励起による GaN/AlGaN 系レーザー2018

    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕、岩山章、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、松本 貴裕
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第38回年次大会
    • 招待講演
  • [学会発表] MOVPE-grown GaN-based tunnel junction and its application2018

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West OPTO
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaInN/GaN multi-quantum shells for high-performance optoelectronic devices2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West OPTO
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] EB excitation of UV lasers using the GaN/AlGaN MQW active layers2018

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      EMN meeting
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN-based VCSELs towards high efficiency2017

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      OPIC 2017 LDC’17
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 名城大学におけるGaInN系面発光レーザの現状とその展望2017

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      光電相互変換第125委員会 第236回研究会
    • 招待講演
  • [学会発表] 高効率窒化物半導体発光素子に向けた新展開2017

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第104回合同研究会
    • 招待講演
  • [学会発表] GaInN vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN DBRs2017

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 12th international conference on nitride semiconductors
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Nitride-based nanowire and multi-quantum shell active layer for advanced photonic devices2017

    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 3rd Congress on Materials Science and Engineering
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Realization of electron beam excitation of UV laser using a AlGaN/GaN multi quantum well active layer2017

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      European Material Research Scociety Symposium Fall meeting
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] High-performance GaN-based VCSELs2017

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      2017 IEEE Photonics Conference
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 窒化物半導体における新しい導電性制御:トンネル接合と分極ドーピング2017

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第36回電子材料シンポジウム
    • 招待講演
  • [学会発表] Fabrication of high-quality AlN template by high-temperature annealing for deepultraviolet2017

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] AlGaN系紫外レーザの現状と期待2017

    • 著者名/発表者名
      岩谷 素顕, Ling Dong , 岩山 章 ,川瀬雄太 ,竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇,三宅秀人
    • 学会等名
      第46回日本結晶成長学会国内会議
    • 招待講演
  • [学会発表] Alternative hole injections in nitride-based light-emitting devices2017

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Semipolar (10-1-1) GaInN/GaN p-i-n lightemitting2017

    • 著者名/発表者名
      N. Muramatsu, T. Takanishi, S. Mitsufuji, M. Iwaya, T. Takeuchi, S.Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Fabrication of GaInN/GaInP/GaAs/Ge 4-junction solar cell using wafer bonding technology2017

    • 著者名/発表者名
      Kazuya Takahashi Ryoji Shinoda Syun Mitsufuji Motoaki Iwaya Tetsuya Takeuchi Satoshi Kamiyama Tomokazu Hattori Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Feasibility study on limited area formation of GaN nanowires for multi-quantum shell LDs2017

    • 著者名/発表者名
      Minoru Takebayashi, Yuki Kurisaki, Hiroki Shibuya, Myunghee Kim, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017

    • 著者名/発表者名
      N. Hayashi , K. Matsui , T. Takeuchi , S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] High electron concentrations in MOCVD-grown Si-doped dilute AlxGa1-xN on sapphire2017

    • 著者名/発表者名
      B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Modified Shockley diode equation suitable for InGaN-based light-emitting diodes2017

    • 著者名/発表者名
      Dong-Pyo Han, Jong-In Shim, Dong-Soo Shin, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Electron beam excitation of ultraviolet laser using a GaN/AlGaN multi quantum well active layer2017

    • 著者名/発表者名
      Takafumi Hayashi, Lin Dong, Yuta Kawase, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Acceleration Voltage Dependence of Threshold Power Density in AlGaN/GaN Based Electron2017

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Takafumi Hayash, Noriaki Nagata,Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      11th International Symposium on
    • 国際学会
  • [産業財産権] 紫外線受光素子及び紫外線受光素子の製造方法2018

    • 発明者名
      岩谷素顕、牛田彩希、吉川陽、永瀬和宏、永富隆清
    • 権利者名
      名城大学、旭化成
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2018-007606
  • [産業財産権] 発光体発光素子および発光体発光素子の製造方法2017

    • 発明者名
      上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2017-127720
  • [産業財産権] 紫外線受光素子2017

    • 発明者名
      岩谷素顕、牛田彩希、吉川陽、永瀬和宏
    • 権利者名
      名城大学、旭化成
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2017-116187
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2017

    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤塚泰斗、岩山章、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2017-217351
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2017

    • 発明者名
      竹内哲也、不破亮太、岩谷素顕、岩山章、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2017-217348
  • [産業財産権] ⅲ族窒化物半導体発光素子とその製造方法2017

    • 発明者名
      竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇、小島久範、安田俊輝、飯田一喜
    • 権利者名
      名城大学、豊田合成
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2017-217383
  • [産業財産権] 窒化物半導体基板とその製造方法2017

    • 発明者名
      岩谷素顕、吉川陽、森下朋浩
    • 権利者名
      名城大学、旭化成
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2017/040313
    • 外国

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公開日: 2018-12-17  

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