| 研究成果の概要 |
ハロゲン化鉛ペロブスカイト量子ドットCsPbX3 (X = Cl, Br, I)は、高い発光量子収率と半値幅の狭い発光スペクトルを示すことから、次世代型LEDへの応用が期待されている。本研究では、ペロブスカイト量子ドットにおける発光量子収率の低下要因となるアニオン欠陥の制御手法の確立を目指し、ハロゲンアニオン含有アンモニウム塩を用いた配位子交換と低い誘電率を有するエステル溶媒による洗浄を実施した。ペロブスカイト量子ドットの界面および化学組成を精密に制御することで、駆動電圧2.6 Vおよび外部発光量子効率8.7%を示す世界最高水準の高性能緑色ペロブスカイト量子ドットLEDの開発に成功した。
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