| 研究成果の概要 |
本研究では、Ba(Si,C)2において、禁制帯幅拡大を実現することを目的とした。プロパンをRFプラズマ状にしてC源に用い、a軸配向CドープBaSi2膜を成長した。a軸の格子定数を求めたが、全ての試料で約0.892nmであり、RFパワー依存性は得られなかった。全ての試料において、C濃度は1cc当たり10の21乗程度であった。試料によりC濃度に差が無いのは、アンドープBaSi2膜中に多数の空孔欠陥があるからではないかと考えた。そこで、Ba/Si堆積レート比を1.0から5.1まで変えた試料を成長した。分光感度は堆積レート比に極めて敏感であり、また、キャリア密度は、堆積レート比が2.2で最少となった。
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