| 研究課題/領域番号 |
15H02238
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
杉山 正和 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (90323534)
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| 研究分担者 |
藤井 克司 北九州市立大学, 付置研究所, 教授 (80444016)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 光触媒 / 化合物半導体 / 分極制御 / 有機金属気相成長 |
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| 研究成果の概要 |
AlN極薄層を用いた分極制御トンネル接合を用い，n型窒化物エピタキシャル結晶（GaNおよびInGaN）を光吸収層とする光カソード電極の作製と動作実証に成功した．デバイスシミュレーションに設計したAlNトンネル接合を得るため，低温成長やガス切り替えシーケンスの最適化などエピタキシャル成長における新手法を開発した．さらに，PtによりGaN表面修飾により，外部電位を用いない光水分解による水素生成を達成した．
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| 自由記述の分野 |
電気電子材料工学
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