研究課題
基盤研究(B)
本研究では放射線環境下において重いシールド材をもちいることなく使用することができる組み込みシステムの実現を目指し、並列構成法を導入した集積回路にホログラムメモリを加え、新しい耐放射線・光再構成型ゲートアレイを開発した。この耐放射線光再構成型ゲートアレイのトータルドーズ耐性は既存のデバイスの1000倍となる1Grad以上であり、宇宙組み込み機器の耐放射線シールドを全廃できる新しい光FPGAの開発に成功した。
光電子デバイス、耐放射線FPGA