| 研究課題/領域番号 |
15H03554
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
鷲尾 勝由 東北大学, 工学研究科, 教授 (20417017)
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| 研究分担者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
川島 知之 東北大学, 工学研究科, 講師 (40708450)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | ゲルマニウム / カーボン / 量子ドット / 自己組織化 |
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| 研究成果の概要 |
機能融合デバイスの創生を目指し、サブ原子層カーボン(C)を媒介とした、Si基板上のGe量子ドットの形成技術を検討した。C-Si反応によるSi表面再構成とCを媒介した固相成長を用い、プロセスパラメータを最適化することによってGe量子ドットを形成できることを確認した。また、2つの手法における成長モードと形成メカニズムを解明した。さらに、Ge量子ドットの積層構造の形成を検討し、歪補償スペーサ層の導入によりドット径と密度を維持できることを確認した。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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