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2017 年度 研究成果報告書

高濃度不純物ドープ縮退ダイヤモンド層の巨大クラスター化とその高機能デバイス応用

研究課題

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研究課題/領域番号 15H03557
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 結晶工学
研究機関大阪大学

研究代表者

伊藤 利道  大阪大学, 工学研究科, 教授 (00183004)

研究分担者 毎田 修  大阪大学, 工学研究科, 助教 (40346177)
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワードCVDダイヤモンド / マイクロ波プラズマCVD / ワイドギャップ半導体 / 不純物ドーピング / CVD製膜装置 / p型半導体
研究成果の概要

本研究では、高い機能性を有するCVDダイヤモンドの更なる研究展開を目指し、(1)高濃度ドープに伴うキャリア移動度の異常な低下の抑制や(2)新規マイクロ波プラズマ(MWP)CVD成膜装置の開発を行った。主な研究成果の概要は以下の通りである。(1)縮退した高濃度ホウ素ドープ層をナノサイズに分断(クラスター化)し、低濃度ドープ層で埋め込むことにより、活性化エネルギーの低減とキャリア移動度低下の抑制が両立できた。その際、当該クラスターサイズの均一性と周期性が重要であった。(2) ダイヤモンド成膜と大面積化成膜が期待できる円錐台形状の反応容器を有するMWPCVDの試作器が開発できた。

自由記述の分野

電気電子材料

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公開日: 2019-03-29  

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