| 研究課題/領域番号 |
15H03558
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
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| 研究分担者 |
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 教授 (30282338)
清水 一男 静岡大学, イノベーション社会連携推進機構, 准教授 (90282681)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | ヘテロエピタキシャル成長 / マイクロチャンネルエピタキシー / グラフェンマスク / 転位低減化 / リモートエピタキシー / 応力低減 / 横方向成長 / Ⅲ－Ⅴ on Si |
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| 研究実績の概要 |
本年度の計画を初期のものより一段と進め、マイクロチャンネル部を通過する転位の低減も目指した。MITのキムらにより提案されたリモートエピタキシーを利用することにより、従来では原理的に不可能と考えられていたマイクロチャンネル部を貫通する転位の低減の可能性が開けた。そのため、本年度はマイクロチャンネル部のGaNの成長にリモートエピタキシーを取り入れた。研究遂行のため、以下の項目に関し本年度の研究を推進した。
（１）「単層グラフェンの成長・転写技術の高度化」リモートエピタキシーの実現には良好な単層グラフェンが必要である。すなわち、グラフェン上での良好な結晶成長のためには、グラフェンそのものの品質の向上に加え、転写時のマスクの汚れ（PMMA残渣等）を完全に除去することが重要である。本年度はそのための清浄化プロセスを開発した。
（２）「リモートエピタキシーメカニズムの検討」マイクロチャンネル部のリモートエピタキシーのための成長条件を導出するため、最初はマスクパターンを使用せず、GaAsならびにGaNのリモートエピタキシーをおこない、そのメカニズムに関して調べた。
（３）「ダブルマスクを使用したGaNのマイクロチャンネルエピタキシー」チャンネル部は単層グラフェン、マスク部には多層グラフェンを用いるダブルマスクの作製方法の導出と、それを利用したチャンネル部のリモートエピタキシーをおこなった。
（４）「グラフェンの応力低減効果の検討」グラフェフェン上にGaNをリモートエピタキシーした基板を使用しInGaNの成長をおこなうことにより、応力の低減効果の評価を試みた。
以上の実験の結果、ダブルマスクをマイクロチャンネルエピタキシーに用いるために必要な基礎技術の確立ならびにダブルマスクを用いたGaNマイクロチャンネルエピタキシーに関する予備的な実験をおこなうことに成功した。
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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