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高移動度半導体であるGeデバイス実用化のために、金属/Ge界面におけるコンタクト抵抗の低減技術を開発した。GeSnやSiGeSn等も含む新規Ge系混晶材料のエレクトロニクス応用に向けて、金属/Ge(Sn)コンタクトにおける界面物性解明と電気伝導特性の制御技術構築を目的とした。その結果、GeSnやSiGeSn界面層の導入あるいは金属ジャーマナイドエピタキシャル層/Ge接合の形成によって、Schottky障壁の適切な制御を実証した。また、超高濃度アンチモンSbドープGe(Sn)エピタキシャル層の形成技術を開発し、3E-8Ωcm2以下の低コンタクト抵抗率金属/n-Ge(Sn)接合の形成を実証した。
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