| 研究課題/領域番号 |
15H03572
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
枝川 圭一 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20223654)
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| 連携研究者 |
上村 祥史 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (40291314)
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| 研究協力者 |
川俣 勇太
藤川 裕恭
鈴木 崇紀
伊田 佳祐 東京大学, 大学院工学系研究科, 大学院生
小見山 雄一郎 東京理科大学, 大学院基礎工学研究科, 大学院生
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | フォトニック結晶 / フォトニックバンドギャップ / 準結晶 / 臨界状態 / 光状態密度 |
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| 研究成果の概要 |
準結晶固体においてその特殊な構造秩序に起因して臨界状態とよばれる特殊な電子状態が存在することが理論的に予言されているが未だに実証されていない。本研究ではフォトニック準結晶に対してFDTD法による電磁界数値シミュレーションを行い、光の系で臨界状態の形成を示すことに成功した。
準結晶の特殊な構造秩序を利用して従来のフォトニック結晶よりも大きなバンドギャップを形成するフォトニック準結晶を開発することを目的に、電磁界数値シミュレーションを行った。バンドギャップサイズについて屈折率コントラストの小さい領域でフォトニック準結晶の優位性が示された。
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| 自由記述の分野 |
材料科学
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