| 研究課題/領域番号 |
15H03573
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
近藤 高志 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (60205557)
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| 連携研究者 |
宮坂 力 桐蔭横浜大学, 医用工学部, 特任教授 (00350687)
江馬 一弘 上智大学, 理工学部, 教授 (40194021)
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| 研究協力者 |
中村 唯我
佐野 惇郎
木村 浩平
高島 駿
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | ハロゲン化鉛ペロブスカイト / ペロブスカイト型半導体 / 真空蒸着 / ヘテロ構造 / ダブルヘテロ構造 / エピタキシャル薄膜 / ヘテロエピタキシー |
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| 研究成果の概要 |
日本発の新規太陽電池であるペロブスカイト太陽電池の光吸収層に用いられているハロゲン化金属ペロブスカイト型半導体を発光デバイスに応用することを念頭に，異なるメチルアンモニウムハロゲン化鉛を積層するヘテロ構造の作製を目指して研究をおこなった。真空蒸着法を用いて，多結晶ヘテロ構造を作製することに初めて成功した。また，臭化鉛ペロブスカイト単結晶基板上での単結晶ヘテロエピタキシャル薄膜の作製が可能であることも初めて示すことができた。あわせて，ペロブスカイト型半導体のバンドエンジニアリングの障害となり得る半導体混晶の光誘起相分離という新規現象についても検討した。
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| 自由記述の分野 |
光デバイス材料
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