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層状トポロジカル絶縁体の従来の成膜方法として、チェンバー汚染を伴わない新手法を考案し、結晶性のよいBi2Te3を単層成長させることに成功した。得られたBi2Te3膜の電子状態、電気伝導度測定を行い、両者の間の対応関係を解明した。
Si表面上の(4x1)-In単原子層について、4x1相の相転移にともなう電気伝導度変化の観測に成功し、相転移の機構を明らかにした。rect-In相の電気伝導度の温度依存性を測定し、金属フタロシアニン分子を吸着させることにより伝導度の温度勾配が変化することを見出した。また、実在が疑問視されていたhex相の合成に成功し、これが単原子層金属であることを明らかにした。
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