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（１）異方的超伝導体接合における輸送現象と奇周波数クーパー対
常伝導金属・超伝導体接合界面において零エネルギーアンドレーエフ束縛状態が存在する時には、界面で奇周波数ペアが顕著に表れることが知られている。本年は、超伝導体に弱い不純物散乱が存在する時の接合系のコンダクタンス、電流揺らぎ（ノイズ）が超伝導体の対称性によってどのように異なるふるまいを示すのかを理論的に調べた。特ノイズと電流の比であるFano因子に着目した。d波超伝導体では、零エネルギーアンドレーエフ束縛状態が存在する場合は、零電圧コンダクタンスピークの高さは不純物散乱が強くなると低くなり、またFano因子の値は零からずれる。これに対してスピン3重項ｐ波超伝導体の零エネルギーアンドレーエフ束縛状態が存在する場合は、零電圧コンダクタンスピークは不純物散乱の強さに依存せず、またFano因子の値は零のままである。この結果は、スピン3重項超伝導体固有の異常近接効果の性質を示したもので、その起源はスピン3重項ｓ波であることも明らかになった。またSr2RuO4と金属の接合系における表面インピーダンスの実験を進めて、従来型のBCS超伝導体では見られない異常な温度依存性の存在を実験的に確認した。この起源として奇周波数クーパー対による異常近接効果の観点から解析した。
（２）半導体Rashbaナノワイヤー・超伝導系の近接効果の理論
最近話題になっているRashbaナノワイヤー系の近接効果の計算を行った。この系ではマヨラナフェルミオンがエッジ状態として現れるのが特徴である。ここではナノワイヤーに常伝導体と超伝導体の２つの領域がある場合を考えて、異常近接効果について研究した。超伝導体側にある不純物散乱が、零電圧コンダクタンスピークに与える影響を調べたが、不純物散乱の強さによらず零電圧コンダクタンスピークの高さが一定であることを明らかになった。
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