| 研究課題/領域番号 |
15H03693
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 首都大学東京 |
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研究代表者 |
青木 勇二 首都大学東京, 理工学研究科, 教授 (20231772)
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| 連携研究者 |
松田 達磨 首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 (30370472)
東中 隆二 首都大学東京, 理工学研究科, 助教 (30435672)
水口 佳一 首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 (50609865)
髭本 亘 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 先端基礎研究センター, 研究主幹 (90291103)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | BiS2層状超伝導体 / 量子臨界的挙動 / 空間反転対称性の破れ / ファンデルワールス層状物質 / 純良単結晶育成 |
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| 研究成果の概要 |
BiS2系超伝導体は、BiS2伝導層と希土類イオンを含むブロック層が交互に積層した結晶構造を持つ2次元性の強い伝導物質である。希土類元素を変えつつ、BiS2伝導層へのキャリアドープ量を制御した純良単結晶を育成し、希土類イオンのf電子磁性とBiS2層における電気伝導特性の異方性、およびこの両者の関わりを調べた。
Ce系では、非金属相においても比熱が対数発散する非従来型の量子臨界的挙動を、Nd系では、重い電子的振舞を、それぞれ低温領域で発見した。また、上部臨界磁場に本系の異常な超伝導特性を見出した。様々な実験手法を組み合わせることにより、希土類イオンとBiS2伝導層が強く結合していることを示した。
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| 自由記述の分野 |
電子物性
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