| 研究課題/領域番号 |
15H03770
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物理化学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
榊 茂好 京都大学, 福井謙一記念研究センター, 研究員 (20094013)
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| 研究分担者 |
中谷 直輝 首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 (00723529)
青野 信治 京都大学, 福井謙一記念研究センター, 特定研究員 (70750769)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 電子状態理論 / 遷移金属錯体 / 構造 / 分子物性 / 化学結合 / 触媒作用 / 有機金属錯体 |
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| 研究成果の概要 |
遷移金属元素を主成分とする複合電子系の電子状態理論研究を行い、理論的予測を試みた。主な結果を以下示す：Auのナノクラスター化合物、PdおよびSiのナノプレート化合物などの理論的研究ではaurophilic相互作用や７配位Siの存在と結合の特徴を解明した。窒素分子やエチレンをサンドイッチした逆サンドイッチ錯体や混合原子価錯体の吸収スペクトルをCAS-PT2法やMCQDPT法で検討し、前者ではスピン状態の支配因子を、後者では電子状態の局在性・非局在性の支配因子を解明した。シグマ結合活性化反応やクロスカップリング反応の理論的研究で、反応機構と遷移金属元素の触媒作用メカニズムを解明した。
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| 自由記述の分野 |
物理化学・理論化学
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