半導体ナノ微粒子におけるホットキャリア移動と量子閉じ込めの次元性との関係を解明するために,量子ドット(QDs)やナノプレートレット(NPLs)を合成し,これらにAuやPt等のナノ微粒子(NPs)を接合する手法を検討した。Au-CdSe QDsでは1P(e)からホット電子移動が起こっているが,NPLsでは効率的なフォノン放出による高励起状態からの緩和が早くホットキャリア移動が起こらないが,Pt NPs-CdSe NPLsではパルス幅(~ 60 fs)よりも早い超高速電子移動が存在している事を明らかにした。またQDsやNPLsに光化学電子ドーピングを行い,荷電励起子の振る舞いを解明した。
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