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3C-SiCNWは、過酷環境下で使用されるMEMS用ピエゾ抵抗素子としての利用が期待されている。本研究では「ナノ細線集積MEMS歪み制御デバイス」を新開発し、同デバイスを利用してSiO2で包まれた3C-SiCNW（C/S-SiCNWという)の機械的特性およびピエゾ抵抗を明らかにした。SiO2シェルを含まない3C-SiCNWとC/S-SiCNWの引張強さは、平均でそれぞれ22.4、7.3GPaを示した。また、3C-SiCNWのゲージ係数は0.022εで-17.6であった。このように、3C-SiCNWはn型半導体の振る舞いを示し、ピエゾ抵抗素子材料として有用であると示唆された。
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