研究課題
基盤研究(B)
グラフェンは、次世代の電子デバイスにおける有望な電子材料である。グラフェンは、シリコンカーバイド（SiC）表面を真空中で高温処理して得られる。しかし、欠陥の制御が難しい。私たちは、平坦に研磨したSiC初期表面にプラズマを援用した熱処理を施すことにより、欠陥密度が低いグラフェンを得る手法を開発した。本手法の鍵は、プラズマ処理により、SiC表面上に分子層レベルのカーボン層が堆積する点にある。本研究では、SiC表面のプラズマ改質特性や、カーボン層がグラフェン形成に与える影響を調査した。
生産工学
