| 研究課題/領域番号 |
15H03961
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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| 研究機関 | 富山大学 |
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研究代表者 |
伊藤 弘昭 富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 教授 (70302445)
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| 研究分担者 |
大橋 隼人 富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 講師 (60596659)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | パルス重イオンビーム / 両極性パルス加速器 / パルス電力技術 / パルスイオン注入 |
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| 研究成果の概要 |
次世代半導体デバイス作製における新しいパルスイオン注入法の実現に向けた知見を得るために、窒素イオンビームに対しては高純度パルス重イオンビーム発生技術である両極性パルス加速技術の開発を行い、半導体材料へのビーム照射効果を調査した。最適条件に近づくと窒素イオン純度が向上しており、両極性パルス加速技術を実証できた。また、パルスアルミニウムレーザーイオン源の開発を行い、イオン電流密度のレーザー波長、レーザー入射角度、レーザーの偏光依存性などを調べ、ショットの再現性は安定していることがわかった。窒素イオンビームによる材料照射実験では、まだ確証不足であるがイオン注入効果と思われる興味深い結果が得られた。
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| 自由記述の分野 |
パルスパワー工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
パルス電力技術を用いた両極性パルス加速技術の開発は、従来のパルスイオンビーム技術の欠点であるビーム純度向上を実現でき、炭化ケイ素に代表される次世代省エネ半導体デバイスを作製するために必要な集積化技術の１つである新しいパルスイオン注入法の基礎実験を行える点で重要な技術である。また、半導体材料へのパルスイオンビーム照射実験はパルスイオン注入法の技術開発につながる重要な結果であり、超低損失半導体デバイスの普及促進し、低炭素社会実現に期待できる。この技術はパルスイオンビームの材料表面改質などの材料プロセス技術への応用が可能となり、新しい機能を持った材料開発が期待できる点でも意義がある。
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