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集積回路は、それを構成するトランジスタの微細化により、性能を向上してきたが、短チャネル効果の顕在化、金属配線の寄生抵抗・寄生容量による配線遅延の増加などにより、さらなる微細化による集積回路の性能向上が困難となっている。集積回路のさらなる性能向上には、従来材料(Si)で構成される大規模集積回路の上に、Siよりも高性能な新材料GeSnで構成される高速トランジスタや光配線を融合し、三次元集積回路を構築することが有効である。その実現を目指し、本研究では、絶縁膜上に高品質なGeSnを低温形成するプロセス技術の開発を行った。
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