| 研究課題/領域番号 |
15H03979
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
渡邉 孝信 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (00367153)
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| 連携研究者 |
喜多 浩之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (00343145)
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| 研究協力者 |
費 嘉陽
橋本 修一郎
富田 基裕
志村 昂亮
功刀 遼太
中根 滉稀
中川 宣拓
高橋 憶人
PEREA CAUSIN Marc
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 電子・電気材料 / 計算物理 / 表面・界面物性 / ナノ材料 |
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| 研究成果の概要 |
Si-CMOSデバイスに導入された高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜で問題となっている、high-k絶縁膜と異種酸化物界面の電気的ダイポール層の形成メカニズムを、分子動力学シミュレーションと実験測定で明らかにした。酸素密度差緩和モデルで説明できた現象は、酸素イオンの芯同士の反発相互作用で引き起こされることが判明した。さらに、酸素イオンの移動だけでなく、金属カチオンの移動もダイポールの方向を決定する重要な因子であることも明らかにされた。また、多元酸化物の界面分極をニューラルネットモデルを用いて予測する発見的手法を開発し、その有効性を明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
電子材料工学
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