| 研究課題/領域番号 |
15H03980
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
寺地 徳之 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主幹研究員 (50332747)
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| 連携研究者 |
小出 康夫 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門, 部門長 (70195650)
渡邊 賢司 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主席研究員 (20343840)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 電子・電気材料 / 結晶成長 / ダイヤモンド / 不純物制御 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、研究項目を「超高純度結晶成長」と「ppbレベルでのドナー/アクセプタドーピング」の2つに分けて実施した。前者については、ダイヤモンド中に取り込まれやすい窒素やシリコンに関して、装置改造や成長条件を最適化することで、従来報告されている結晶と比べて、純度が格段に高い結晶を得ることに成功した。最終的に、窒素濃度は0.08ppb（1.4×1013 cm-3）の超高純度ダイヤモンド結晶を自立結晶という形態で得ることに成功した。後者については、単一NVセンタを再現性良く形成する手法として、メタンガス中に窒素を500ppm混入したメタン原料を準備してダイヤモンド成長を行う方法を提案した。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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