| 研究成果の概要 |
本研究では、半導体スピンデバイスの作製に必要なp型強磁性半導体(Ga,Fe)Sbおよびn型強磁性半導体(In,Fe)Sbの開発に成功した。また、これらの強磁性半導体において、室温強磁性を実現した。次に、鉄系強磁性半導体からなるスピンダイオード構造やスピン電界効果トランジスタ構造を作製し、そのスピン依存伝導特性の評価を行った。n-(In,Fe)As/p-InAsの江崎ダイオード構造においては、トンネル分光法を使って(In,Fe)Asの自発バンドスピン分裂を観測した。また、(In,Fe)As量子井戸のチャンネルを有するスピン電界効果トランジスタ構造を作製し、波動関数制御による強磁性変調を行った。
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