膜厚方向スピン配列制御と3次元マグノニクスへの展開

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15H03995
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 松山 公秀 九州大学, システム情報科学研究院, 教授 (80165919)
• 研究分担者: 田中 輝光 九州大学, システム情報科学研究院, 助教 (20423387)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: 電子デバイス・機器 / スピンエレクトロニクス / データストレージ / スピン波 / マイクロマグネティクス / マグノニクス

研究成果の概要

界面交換結合により磁気特性を膜厚方向に階層化した磁性多層膜を対象とし，その膜面内及び膜厚方向にスピン波が量子化される3次元のスピン波共鳴構造について，実験と計算機シミュレーションの両面から研究を行い，マイクロ波交流磁界とスピン波量子(マグノン)との間の相互変換に係る基礎物理を明らかにした．10 GHz以上の高周波域において高効率スピン波励起が可能なマグノニクス媒体の材料設計を行うと共に，マグノンの周波数選択的な励起・応答特性を利用した伝送線路構造の信号処理デバイスや，マグノン励起モードの膜厚方向スピン配列依存性を利用した記憶・論理一体型素子の基本構造を明らかにした．

自由記述の分野

磁気デバイス工学