2017 年度研究成果報告書

“基板のクランプ効果による可逆配向スイッチング機構”を用いた巨大圧電体膜の創成

研究課題

研究課題/領域番号	15H04121
研究種目	基盤研究(B)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	無機材料・物性
研究機関	東京工業大学
研究代表者	舟窪浩東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (90219080)
研究分担者	清水荘雄東京工業大学, 物質理工学院, 助教 (60707587)
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード	誘電体膜 / 圧電MEMS
研究成果の概要	(100)/(001)配向したPb(Zr0.5Ti0.5)O3膜をSi、SrTiO3およびCaF2基板上に作製した。電界印加時には、可逆な格子の伸長と(100)配向から(001)配向へのドメインスイッチングが確認された。格子の伸長はすべての膜でほぼ同様に観察されたのに対し、ドメインスイッチングはSi基板上で最大となった。これが、Si基板上の膜の大きな圧電性の起源であると考えられる。
自由記述の分野	工学　酸化物機能材料