“基板のクランプ効果による可逆配向スイッチング機構”を用いた巨大圧電体膜の創成

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15H04121
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 舟窪 浩 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (90219080)
• 研究分担者: 清水 荘雄 東京工業大学, 物質理工学院, 助教 (60707587)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: 誘電体膜 / 圧電MEMS

研究成果の概要

(100)/(001)配向したPb(Zr0.5Ti0.5)O3膜をSi、SrTiO3およびCaF2基板上に作製した。電界印加時には、可逆な格子の伸長と(100)配向から(001)配向へのドメインスイッチングが確認された。格子の伸長はすべての膜でほぼ同様に観察されたのに対し、ドメインスイッチングはSi基板上で最大となった。これが、Si基板上の膜の大きな圧電性の起源であると考えられる。

自由記述の分野

工学　酸化物機能材料