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窒素ドープ垂直配向多層カーボンナノチューブ（Nx-VAMWCNTs）と少量のフッ素が修飾されている脱フッ素化VAMWCNTs（deFx-VAMWCNTs）をフッ素化VAMWCNTsから調製した（xは処理温度）。N500-VAMWCNTsの比静電容量は12.0 F/g（掃引速度100 mV/s）で、未修飾VAMWCNT電極のそれの1.8倍であった。deF550-VAMWCNTs を正極、N500-VAMWCNTsを負極とした2極セルの開放電圧は+0.16 Vであり、単位電極質量当りに等量の電荷を与えた時の電圧とエネルギー密度は両極がN500-VAMWCNTsの2極セルのそれらよりも大きかった。
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