研究課題
基盤研究(B)
本研究では、電子線蒸着非晶質シリコン膜にフラッシュランプアニールを行う際に発現する爆発的結晶化により形成される多結晶シリコン膜を太陽電池に応用するための基盤技術の確立を目指した。非晶質シリコン膜に意図的に厚膜部を設けることにより、爆発的結晶化の起点制御が可能となった。また、凹凸ガラス上への多結晶シリコン膜形成や窒化シリコン膜を挿入した構造の利用可能性を実証し、高効率太陽電池を形成するための指針を得た。
太陽電池
太陽光発電が世界の基幹電力となるためには、太陽電池製造のより一層のコスト低減が必要である。本研究で確立した多結晶シリコン薄膜形成法を裏面電極型多結晶シリコン太陽電池に応用することができれば、シリコンウェハを使用しない太陽電池を実現することができ、製造工程の大幅な変革と、それに伴うコスト低減が期待される。
