| 研究成果の概要 |
成長界面その場観察技術を用い、SiC成長界面における線状インクルージョンの発生がスパイラルヒロック端において前進ステップと干渉して発達したバンチングステップによることを明らかにした。次いで、低過飽和条件を利用することで種結晶中の貫通らせん転位を起点としたスパイラル成長の安定維持が可能であり、その傾斜形状を用いたステップエネルギーの相対評価が可能であることを示した。
また分子動力学法計算を用い、Si-C溶液と3C, 4H, 6H-SiC結晶の界面における界面成長挙動を調査し、種々の結晶面上の成長挙動を評価した。特に4H-SiC｛1-102}上ではラフ界面を維持した安定成長が継続することを示した。
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