| 研究課題/領域番号 |
15H05406
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
佐藤 宗英 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (00509961)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 原子制御材料化学 |
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| 研究実績の概要 |
新規ドット前駆体合成に関してはドット前駆体から形成するドットの電子透過顕微鏡による観察を開始した。デバイス作製に関しては、ドットへの電荷注入を検討するため原子層堆積（ALD）膜の膜厚の検討を開始した。また、ドット積層構造の熱伝導測定で予備的な結果が得られた。一方で、本研究で主に利用しているナノテクノロジープラットフォームのALD装置の利用料が一切の予告なく年度始めから４倍となったため対応に追われた。具体的には、ALD装置を自作することを検討し、装置のデザインや部材の手配計画の立案等を行った。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
4: 遅れている
理由
ナノテクノロジープラットフォームのALD装置の利用料が一切の予告なく年度始めから４倍となったため、予定外にALD装置を自作するための手配に追われたため。
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| 今後の研究の推進方策 |
ALD装置の利用料が４倍となったことで年間使用料と比較しても簡易版を自作するのに必要なコストに見合うため、夏を目標にALD装置を自作する。遠回りに思えるが、プロセス速度を規定するチャンバーのサイズの選定やALD前駆体ライン追加が容易になるなど研究の自由度があがる。ALD装置の自作と並行して、ALD膜に埋め込まれたドットの構造解析を行うことで、機能・構造相関の解明を推し進める。
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