| 研究課題/領域番号 |
15H05413
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
清水 康雄 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (40581963)
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| 研究協力者 |
深田 直樹 物質・材料研究機構, 主任研究員 (90302207)
井上 耕治 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (50344718)
永井 康介 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (10302209)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | ３次元アトムプローブ / 透過電子顕微鏡 / ナノワイヤ / 量子構造 / 半導体 |
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| 研究成果の概要 |
将来の量子デバイス構造の候補であるナノワイヤの最先端研究において、不純物添加時に導入される欠陥が電気的特性に与える影響を理解するためには、ドーパントと欠陥の位置関係を明確にする必要がある。本研究では、シリコンとゲルマニウムで構成するコア－シェル型に着目し、原子レベルの位置分解能で元素の実空間分布を得る３次元アトムプローブと透過電子顕微鏡を同一の試料に適用した。任意のナノワイヤを集束イオンビーム装置のマニピュレータを用いて拾い上げ、測定用の試料台に効率良く設置する手法を確立し、ナノワイヤを構成する元素の実空間分布を得ることに成功した。ドーパント－欠陥の位置関係を明らかにする研究体系を構築した。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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