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2018 年度 研究成果報告書

原子レベル制御を可能とした次世代ミストCVDによる酸化物量子デバイス開発

研究課題

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研究課題/領域番号 15H05421
研究種目

若手研究(A)

配分区分補助金
研究分野 結晶工学
研究機関高知工科大学

研究代表者

川原村 敏幸  高知工科大学, システム工学群, 教授 (00512021)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2019-03-31
キーワードミストCVD / 機能膜 / 環境負荷低減 / グリーンプロセス / 金属酸化物 / 酸化物量子デバイス / 酸化亜鉛 / 酸化ガリウム
研究成果の概要

気液混相のミスト流を扱うミストCVDは「気」と「液」両方を利用出来、気もしくは液のみの単相流を扱う従来手法に比べて原料供給に対する操作自由度が高い事に気がつき、「ミスト同士は容易にはぶつからない」ということを発見、反応炉内をミスト液滴がライデンフロスト状となっていることと合わせて、多元系機能膜の厳密な組成制御技術を達成させた。また、これにより大気圧下の溶液手法であるミストCVDで、Ga2O3系材料を世界で初めて光らせる事に成功した。

自由記述の分野

機能膜作製プロセス開発

研究成果の学術的意義や社会的意義

我々の身の回りには様々な光・電子デバイスが存在する。現在それらのデバイスの多くは多岐に亘る要望に応えるため特性の高性能化が優先されており、真空などの特殊な環境が必要な機能膜作製技術や有毒物質・不安定材料などが利用され、環境への負荷が考慮されることは後回しにされがちである。本申請はデバイス作製技術の省エネ化や材料の安定性を担保しながら次世代に必要とされる量子デバイスの作製を可能とする技術の開発に焦点を当てている。

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公開日: 2020-03-30  

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